ウェーハーレベル真空接合装置
陽極接合装置


装 置 概 要

本装置は、半導体・SOI・センサー・マイクロマシーン・半導体センサーなど、
ウェーハーレベルでアッセンブルしていく必要のあるデバイスの、
各種接合・ボンディングをおこなうことができます。
陽極接合のほか、共晶接合・ろう接・熱圧着接合・各種拡散接合等、
ウェーハー・基板レベルのボンディングプロセスの
開発から量産に対応いたします。

装 置 構 成

装置は、プロセスチャンバー・ヒーター部・加圧部・電圧印加部・
排気系・ガス導入部・制御部より構成されています。
カラー液晶タッチパネルにより条件設定・自動手動操作できる他、
プロセスチャートや装置稼働状態のリアルタイムモニターができます。

特 徴

1. 4〜6インチのウェーハー・基板レベルの各種ボンディングが可能です。
2. 特殊ホルダーによりアライメント精度を損ないません。
3. ホルダーは、アライメント固定クリップ解除機構を備え、歪みの少ない接合が
できます。
4. ウェーハー・基板を均一に加熱・加圧できるため、良好な接合が得られます。
5. 理想的な加熱・冷却コントロールシステムを開発しました。
6. 真空から加圧雰囲気まで、任意の圧力制御が可能です。
7. 新しい電圧印加コントロールシステムにより、再現性の良い接合ができます。



新 機 能

1.均一加熱・加圧システム

接合状態を左右する要素のうち、加熱・加圧条件は特に重要です。本装置は、
あらゆる雰囲気でも対応可能な、均一性を追求したシステムを採用しました。







2.特殊ホルダー

アライメントと接合、それぞれの装置要求に応える設計構造としました。
優れたアライメント精度を保持し、確実な接合ができます。接合プロセス中の
自動固定クリップ解除機能により、さらに良好な接合が可能となりました。








3.電圧印加コントロールシステム

複数の電圧印加ポジションの制御、段階的な
電圧印加制御システムを標準化しました。
残留応力を低減させ、ボイドの少ない接合が可能となります。
また、過電流制御しながら電圧印加ポジション制御することにより、
絶縁膜付きシリコンの接合などに対し、絶縁破壊抑止の効果が期待できます。








4.プロセスチャートモニター機能

ヒーター温度・チャンバー内圧力・加圧力・印加電圧・電流等、の
トレンドリアルタイムモニターができます。
プロセス条件設定や条件再現性管理をデジタル化させることができます。
オプションにより、外部プリンターへのハードコピー・
外部パソコンへのデータ-送信ができます。